IPI50R299CP datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаIPI50R299CP
-
ПроизводительInfineon Technologies
-
ОписаниеInfineon Technologies IPI50R299CP RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 550 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.299 Ohms at 10 V Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Fall Time: 12 nS Gate Charge Qg: 23 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 104 W Rise Time: 14 nS Typical Turn-Off Delay Time: 80 nS Part # Aliases: IPI50R299CPXK IPI50R299CPXKSA1 SP000523748
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
22.05.2024
21.05.2024
20.05.2024